雙向在控硅在電機負載下使用需要注意對可控硅產(chǎn)品的選形。在感性負載與容性負載的情況下，需要比較高的dv/dt與di/dt。
1、選用4Q可控硅需要加RC電路吸收，阻止dv/dt的變化速度，加L（扼流圈）阻止di/dt的變化速度。4Q產(chǎn)品需要效多的保護措施，應用起來相對3Q 產(chǎn)品要復雜。
2、期發(fā)展的 3Q “Hi-Com”雙向可控硅技術(shù)一般不需要保護元件。應用這技術(shù)的電器更可靠，更價廉，并且小巧。
因此感性負載與容性負載，推薦使用3Q 雙向可控硅。 |
